Главное

Подробности

Опубликовано 13.07.2026 17:07

Во Владивостоке стартовала XVI Конференция по актуальным проблемам физики и материаловедения кремния

С 13 по 17 июля 2026 года во Владивостоке проходит XVI Конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Масштабное научное событие объединило ведущих специалистов в области микро- и наноэлектроники, физики полупроводников и смежных дисциплин. Организаторами выступают Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН и Президиум Дальневосточного отделения РАН, что подчёркивает значимость конференции для академической повестки Дальнего Востока и всей страны.

Кремний давно перестал быть просто элементом таблицы Менделеева: сегодня он – основа современной электроники, солнечной энергетики, квантовых технологий и множества других высокотехнологичных направлений. Именно поэтому тематика конференции охватывает широкий спектр вопросов: от фундаментальных исследований атомных процессов в кремнии до прикладных разработок новых приборных структур и методов их диагностики.

Открыл конференцию вице-президент РАН, председатель ДВО РАН, академик РАН Ю.Н. Кульчин. Юрий Николаевич приветствовал участников конференции, пожелал успешной, творческой работы, плодотворных дискуссий. В частности, он напомнил, что ещё в 1974 году при Институте автоматики и процессов управления был создан Отдел искусственного интеллекта. Его создатель, доктор технических наук Филипп Георгиевич Старос, один из организаторов Центра микроэлектроники в Зеленограде, начал работы по созданию «куба памяти» в кремниевой матрице – системы, которая должна была приблизиться по своим возможностям к мозгу человека. Преждевременная смерть не дала ему возможности реализовать задуманное, но его идеи успешно развивают в институте школа по физике поверхности, школа искусственного интеллекта.

Работа конференции выстроена по шести тематическим секциям, каждая из которых отражает направление современной науки о материалах. В первой секции внимание сосредоточено на материаловедении кристаллического кремния – от получения и очистки металлургического кремния до технологий роста кристаллов и проблем солнечной энергетики. Здесь речь пойдёт не только о совершенствовании традиционных подходов, но и о поиске решений, способных повысить эффективность солнечных элементов и снизить себестоимость их производства.

Вторая секция посвящена изучению атомных процессов на поверхности, границах раздела и в объёме кремния. Дефекты, примесные атомы, тонкие плёнки, двумерные и нульмерные структуры – эти вопросы лежат в основе понимания того, как можно управлять свойствами материала на атомарном уровне. Особый интерес представляют исследования напряжённых структур и систем «кремний на изоляторе», которые находят применение в высокопроизводительной электронике.

Третья секция раскрывает физику кремниевых квантово-размерных структур, охватывая направления от твердотельной электроники до нано- и оптоэлектроники, фотоники, спинтроники и скирмионики. Это область, где фундаментальные открытия напрямую трансформируются в новые принципы работы электронных устройств – от более быстрых процессоров до энергоэффективных источников света.

Четвёртая секция фокусируется на нанотехнологиях кремниевой электроники: ионной имплантации, литографии, создании квантовых точек и скрытых слоёв. Отдельно выделены квантовые технологии на основе кремниевых структур и квантовые сенсоры – перспективные направления, способные изменить ландшафт измерительной техники и квантовых вычислений.

Пятая секция посвящена диагностике кремния и приборных структур на его основе, а также новым приборам – от элементов микромеханики до фотоприёмников и светоизлучающих структур. Современные методы диагностики позволяют не только контролировать качество материалов, но и выявлять тонкие эффекты, определяющие работоспособность устройств.

Наконец, шестая секция охватывает методы и аппаратуру для исследования свойств кремния и структур на его основе, включая гетероструктуры с кремнийсодержащими соединениями. Развитие приборной базы – ключевое условие прогресса в материаловедении: без точных и надёжных инструментов невозможно ни фундаментальное исследование, ни промышленное внедрение новых технологий.

Пленарные и устные доклады задают высокий научный уровень конференции. Среди ключевых тем – криогенные плазменные технологии в кремниевой микроэлектронике и перспективы продления действия закона Мура за счёт 3D-интегральных схем. Доклады посвящены также энергоэффективным элементам интегральных схем с использованием сегнетоэлектриков в кремнии, развитию приборной и методологической базы для микроэлектроники на базе сканирующей зондовой микроскопии, новым электрофизическим комплексам для характеризации дефектов и электрических свойств полупроводников.

Особый интерес вызывают исследования, связанные с квантовыми вычислениями: например, доклады об эпитаксиальных Si/SiGe и Ge/GeSi структурах, которые могут стать основой для квантовых процессоров. Не менее актуальны работы по спин-орбитронике – направлению, открывающему возможности для создания электронной компонентной базы на новых физических принципах.

В программе представлены и исследования, направленные на совершенствование технологических процессов: от молекулярно-лучевой эпитаксии наногетероструктур GeSn/Si до использования атомно-слоевого травления для планаризации поверхности SiO₂. Важное место занимают работы по стандартизации измерений параметров полупроводниковых материалов и получению особочистых кварцевых концентратов – необходимого сырья для производства высококачественного кремния.

География участников подчёркивает всероссийский масштаб конференции: свои доклады представляют более 100 учёных и ведущих промышленных специалистов из Москвы, Новосибирска, Санкт-Петербурга, Нижнего Новгорода, Воронежа, Томска, Иркутска, Зеленограда, Фрязино, Черноголовки и Владивостока. Такое широкое представительство свидетельствует о консолидации научного сообщества вокруг ключевых задач развития микро- и наноэлектроники.

Значительную роль в обеспечении практической направленности конференции играют спонсоры и индустриальные партнёры, представляющие передовые решения в области контрольно‑измерительного и аналитического оборудования, рентгеновских методов исследования вещества, электронной микроскопии. Их участие помогает сблизить академическую науку и реальные производственные задачи, ускоряя внедрение новых разработок.

Конференция – это не только площадка для представления результатов, но и пространство для дискуссий, обмена идеями и формирования новых научных коллабораций. В ближайшие дни участникам предстоит обсудить широкий круг вопросов: от тонких физических эффектов в двумерных системах на поверхности кремния до оптимизации промышленного роста монокристаллов с помощью компьютерного моделирования.

Таким образом, XVI Конференция по актуальным проблемам физики и материаловедения кремния демонстрирует, что российская наука продолжает удерживать высокие позиции в одной из наиболее технологически значимых областей. Сочетание фундаментальных исследований, развития приборной базы и тесного взаимодействия с индустрией создаёт прочную основу для будущих прорывов в микроэлектронике, энергетике и квантовых технологиях.

Александр КУЛИКОВ