В ДВО РАН избран новый председатель Совета молодых ученых

Сочи 2015В конференц-зале Президиума ДВО РАН прошло общее собрание  Совета молодых ученых ДВО РАН. На повестке дня значился вопрос о выборе нового руководителя СМУиС. По итогам голосования председателем Совета молодых ученых ДВО РАН  избран Константин Галкин.

Справка

Галкин Константин Николаевич – кандидат физико-математических наук (2009), научный сотрудник  лаборатории Оптики и электрофизики Института автоматики и процессов управления  ДВО РАН (2009 – по н.в.), старший инженер лаборатории пленочных технологий Школы естественных наук ДВФУ (2010 – по н.в.).  Обладатель грантов Президента РФ (2011-2012, 2013-2016), РФФИ (2012-2013). Председатель Владивостокского студенческого отделения Международного общества по оптической технике (SPIE) (2007-2008). Председатель Совета молодых ученых ИАПУ ДВО РАН (2013 –  по н.в.). Имеет свыше 40 научных публикаций в отечественных и зарубежных изданиях. Стипендиат специальной государственной стипендии Правительства Российской Федерации для студентов государственных образовательных учреждений высшего профессионального образования Министерства образования России (2003-2004), специальной государственной стипендии Правительства Российской Федерации для студентов государственных образовательных учреждений высшего профессионального образования Министерства образования России (2004-2005).

К.Н. Галкин родился 15 февраля 1983 г. во Владивостоке. В 2005 г. окончил с отличием Дальневосточный государственный университет по специальности «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», в 2009 – аспирантуру. С 2000 г. работал  в институте в должности лаборанта, инженера. В настоящее время К.Н. Галкин – научный сотрудник  лаборатории Оптики и электрофизики ИАПУ ДВО РАН.

Научные интересы К.Н. Галкина связаны с физикой тонких пленок, физикой низкоразмерных структур и физикой полупроводниковых приборов. Основными направлениями научной деятельности являются экспериментальные исследования роста и свойств эпитаксиальных пленок полупроводниковых силицидов на кремнии, кремниевые наноструктуры со встроенными нанокристаллитами полупроводниковых силицидов и устройств на их основе.

Избранные публикации

  1. A.V. Shevlyagin, D.L. Goroshko, E.A. Chusovitin, K.N. Galkin, and N.G. Galkin “Characterization of the Si/β-FeSi2 nanocrystallites /Si multilayered heterostructure in the NIR photodetection” // Scientific Reports, 10/2015; 5:14795. DOI:10.1038/srep14795 · (IF = 5.58)
  2. S.A. Dotsenko, A.S. Gouralnik, N.G. Galkin, K.N. Galkin, A.K. Gutakovski and M.A. Neklyudova. “Formation of Mg silicides on amorphous Si. Origin and role of high pressure in the film growth” // Materials Chemistry and Physics, 148, issue 3, 2014, 1078-1082 (DOI: 10.1016/j.matchemphys.2014.09.021). Impact Factor: 2.129
  3.  Галкин Н.Г., Ваванова С.В., Галкин К.Н., Баталов Р.И., Баязитов Р.М., Нуждин В.И. Наносекундный импульсный отжиг кремния, имплантированного ионами магния // Журнал технической физики, 2013, том 83, выпуск 1, С. 99-104. = Galkin N.G., Vavanova S.V., Galkin K.N., Batalov R.I., Bayazitov R.M., Nuzhdin V.I. “Pulsed nanosecond annealing of magnesium-implanted silicon” // Technical Physics, 2013,  V. 58, Issue 1, pp. 94-99. (IF = 0.539)

 

© Дальневосточное отделение Российской академии наук

Количество посещений

Информация о сайте ДВО РАН