В конференц-зале Президиума ДВО РАН прошло общее собрание Совета молодых ученых ДВО РАН. На повестке дня значился вопрос о выборе нового руководителя СМУиС. По итогам голосования председателем Совета молодых ученых ДВО РАН избран Константин Галкин.
Справка
Галкин Константин Николаевич – кандидат физико-математических наук (2009), научный сотрудник лаборатории Оптики и электрофизики Института автоматики и процессов управления ДВО РАН (2009 – по н.в.), старший инженер лаборатории пленочных технологий Школы естественных наук ДВФУ (2010 – по н.в.). Обладатель грантов Президента РФ (2011-2012, 2013-2016), РФФИ (2012-2013). Председатель Владивостокского студенческого отделения Международного общества по оптической технике (SPIE) (2007-2008). Председатель Совета молодых ученых ИАПУ ДВО РАН (2013 – по н.в.). Имеет свыше 40 научных публикаций в отечественных и зарубежных изданиях. Стипендиат специальной государственной стипендии Правительства Российской Федерации для студентов государственных образовательных учреждений высшего профессионального образования Министерства образования России (2003-2004), специальной государственной стипендии Правительства Российской Федерации для студентов государственных образовательных учреждений высшего профессионального образования Министерства образования России (2004-2005).
К.Н. Галкин родился 15 февраля 1983 г. во Владивостоке. В 2005 г. окончил с отличием Дальневосточный государственный университет по специальности «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», в 2009 – аспирантуру. С 2000 г. работал в институте в должности лаборанта, инженера. В настоящее время К.Н. Галкин – научный сотрудник лаборатории Оптики и электрофизики ИАПУ ДВО РАН.
Научные интересы К.Н. Галкина связаны с физикой тонких пленок, физикой низкоразмерных структур и физикой полупроводниковых приборов. Основными направлениями научной деятельности являются экспериментальные исследования роста и свойств эпитаксиальных пленок полупроводниковых силицидов на кремнии, кремниевые наноструктуры со встроенными нанокристаллитами полупроводниковых силицидов и устройств на их основе.